ผลิตภัณฑ์

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM0335C1H200JA01D ขนาด 0201 ความจุ 20 pF แรงดันใช้งาน 50 V ชนิด C0G บรรจุในม้วนต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM0335C1H200JA01D ขนาด 0201 ความจุ 20 pF แรงดันใช้งาน 50 V ชนิด C0G บรรจุในม้วนต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกเกรดอุตสาหกรรมยานยนต์ GCM188R71C105KA64D ขนาด 0603 ค่าความจุ 105K (1 µF) แรงดัน 16 V ชนิด X7R ความคลาดเคลื่อน ±10% สำหรับการแยกสัญญาณ (Decoupling) และการเบี่ยงเบนสัญญาณ (Bypass)

ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกเกรดอุตสาหกรรมยานยนต์ GCM188R71C105KA64D ขนาด 0603 ค่าความจุ 105K (1 µF) แรงดัน 16 V ชนิด X7R ความคลาดเคลื่อน ±10% สำหรับการแยกสัญญาณ (Decoupling) และการเบี่ยงเบนสัญญาณ (Bypass)

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD แบบความเสถียรสูง GRM155R61C475ME15D ขนาด 0402 ค่าความจุ 475M (4.7 µF) แรงดัน 16 V ชนิด X5R ความคลาดเคลื่อน ±20% สำหรับการแยกสัญญาณ (Decoupling) และการเบี่ยงเบนสัญญาณ (Bypass)

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD แบบความเสถียรสูง GRM155R61C475ME15D ขนาด 0402 ค่าความจุ 475M (4.7 µF) แรงดัน 16 V ชนิด X5R ความคลาดเคลื่อน ±20% สำหรับการแยกสัญญาณ (Decoupling) และการเบี่ยงเบนสัญญาณ (Bypass)

คอยล์เหนี่ยวนำกำลังไฟฟ้า ขนาด 1210 รุ่น LQW32FT470M0HL ความเหนี่ยวนำ 47 ไมโครเฮนรี กระแสสูงสุด 300 มิลลิแอมแปร์ ความแม่นยำ ±20% แบบติดตั้งบนพื้นผิว (SMD) ใช้งานกับอุปกรณ์ดิจิทัลรุ่น 3C

คอยล์เหนี่ยวนำกำลังไฟฟ้า ขนาด 1210 รุ่น LQW32FT470M0HL ความเหนี่ยวนำ 47 ไมโครเฮนรี กระแสสูงสุด 300 มิลลิแอมแปร์ ความแม่นยำ ±20% แบบติดตั้งบนพื้นผิว (SMD) ใช้งานกับอุปกรณ์ดิจิทัลรุ่น 3C

ตัวเก็บประจุเซรามิกชิป GRM155R61H474KE11D ขนาด 0402 ค่าความจุ 470 nF ชนิด X5R แรงดัน 50 V ความคลาดเคลื่อน ±10% ใช้ทั่วไปกับอุปกรณ์ใช้ทั่วไป

ตัวเก็บประจุเซรามิกชิป GRM155R61H474KE11D ขนาด 0402 ค่าความจุ 470 nF ชนิด X5R แรงดัน 50 V ความคลาดเคลื่อน ±10% ใช้ทั่วไปกับอุปกรณ์ใช้ทั่วไป

สำหรับตัวเก็บประจุชิปเซรามิกรุ่น GRM219R61C226ME15L ขนาด 0805 ความจุ 22 ไมโครฟารัด ชนิด X5R แรงดัน 16 โวลต์ ความคลาดเคลื่อน ±20% ใช้ได้ทั่วไปกับอุปกรณ์ใช้ทั่วไป

สำหรับตัวเก็บประจุชิปเซรามิกรุ่น GRM219R61C226ME15L ขนาด 0805 ความจุ 22 ไมโครฟารัด ชนิด X5R แรงดัน 16 โวลต์ ความคลาดเคลื่อน ±20% ใช้ได้ทั่วไปกับอุปกรณ์ใช้ทั่วไป

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM155R60J106ME47D ความจุ 10 ไมโครฟารัด แรงดัน 6.3 โวลต์ ชนิด X5R ขนาด 0402 บรรจุในม้วนต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM155R60J106ME47D ความจุ 10 ไมโครฟารัด แรงดัน 6.3 โวลต์ ชนิด X5R ขนาด 0402 บรรจุในม้วนต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM219R71E105KA88D ความจุ 1 ไมโครฟารัด แรงดัน 25 โวลต์ วัสดุไดอิเล็กทริก X7R ขนาดแพ็คเกจ 0805 ในม้วนต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM219R71E105KA88D ความจุ 1 ไมโครฟารัด แรงดัน 25 โวลต์ วัสดุไดอิเล็กทริก X7R ขนาดแพ็คเกจ 0805 ในม้วนต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุเกรดอุตสาหกรรมสำหรับยานยนต์ รุ่น GCM155R71H102JA37D ความจุ 1 นาโนฟารัด แรงดัน 50 โวลต์ วัสดุไดอิเล็กทริก X7R ขนาดแพ็คเกจ 0402 ในม้วน

ตัวเก็บประจุเกรดอุตสาหกรรมสำหรับยานยนต์ รุ่น GCM155R71H102JA37D ความจุ 1 นาโนฟารัด แรงดัน 50 โวลต์ วัสดุไดอิเล็กทริก X7R ขนาดแพ็คเกจ 0402 ในม้วน

คอยล์เหนี่ยวนำกำลังรุ่น MDH12577680MA=P3 ค่าเหนี่ยวนำ 68 ไมโครเฮนรี แบบป้องกันสนามแม่เหล็ก (Shielded) SMD สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์

คอยล์เหนี่ยวนำกำลังรุ่น MDH12577680MA=P3 ค่าเหนี่ยวนำ 68 ไมโครเฮนรี แบบป้องกันสนามแม่เหล็ก (Shielded) SMD สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์

คอนเนกเตอร์เชื่อมบอร์ดกับ FPC รุ่น BM28B0.6-40DS/2-0.35V(51) ระยะห่างขา 0.35 มม. จำนวนขา 40+2 ขา สูง 0.6 มม. สำหรับสมาร์ทโฟน

คอนเนกเตอร์เชื่อมบอร์ดกับ FPC รุ่น BM28B0.6-40DS/2-0.35V(51) ระยะห่างขา 0.35 มม. จำนวนขา 40+2 ขา สูง 0.6 มม. สำหรับสมาร์ทโฟน

สำหรับตัวเก็บประจุชิปเซรามิก ZRB15XR60J106ME12D ขนาด 0402 ความจุ 10 ไมโครฟารัด ชนิด X5R แรงดันใช้งาน 6.3 โวลต์ ความคลาดเคลื่อน ±20% แบบทั่วไป

สำหรับตัวเก็บประจุชิปเซรามิก ZRB15XR60J106ME12D ขนาด 0402 ความจุ 10 ไมโครฟารัด ชนิด X5R แรงดันใช้งาน 6.3 โวลต์ ความคลาดเคลื่อน ±20% แบบทั่วไป

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดผิวหน้า GRM033R61E474ME15D ขนาด 0201

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดผิวหน้า GRM033R61E474ME15D ขนาด 0201

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ MLCC GRM033R60J223KE01D ความจุ 0.022 µF แรงดันใช้งาน 6.3 V ขนาด 0603 (หน่วยวัดตามมาตรฐานเมตริก) สำหรับอุปกรณ์มือถือ

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ MLCC GRM033R60J223KE01D ความจุ 0.022 µF แรงดันใช้งาน 6.3 V ขนาด 0603 (หน่วยวัดตามมาตรฐานเมตริก) สำหรับอุปกรณ์มือถือ

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD GRM1555C1H100RA01D ความจุ 10 pF แรงดันใช้งาน 50 V ชนิด C0G ขนาด 0402 สำหรับวงจรความถี่สูง

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD GRM1555C1H100RA01D ความจุ 10 pF แรงดันใช้งาน 50 V ชนิด C0G ขนาด 0402 สำหรับวงจรความถี่สูง

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD GRT188C81E225KE13D ความจุ 2.2 µF แรงดันใช้งาน 25 V ชนิด X6S ขนาด 0603 สำหรับระบบสารสนเทศและความบันเทิงในรถยนต์ (Infotainment)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD GRT188C81E225KE13D ความจุ 2.2 µF แรงดันใช้งาน 25 V ชนิด X6S ขนาด 0603 สำหรับระบบสารสนเทศและความบันเทิงในรถยนต์ (Infotainment)

ขั้วต่อ FPC/FFC แบบมุมฉาก FH34SRJ-18S-0.5SH(50) ระยะห่างขา 0.5 มม. 18 ขา สำหรับติดตั้งแบบ SMT บนจอแสดงผล LCD

ขั้วต่อ FPC/FFC แบบมุมฉาก FH34SRJ-18S-0.5SH(50) ระยะห่างขา 0.5 มม. 18 ขา สำหรับติดตั้งแบบ SMT บนจอแสดงผล LCD

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ MLCC คุณภาพสูง GJM1555C1H2R0WB01D ความจุ 2 pF แรงดันใช้งาน 50 V ชนิด C0G ขนาด 0402 สำหรับโมดูล RF

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ MLCC คุณภาพสูง GJM1555C1H2R0WB01D ความจุ 2 pF แรงดันใช้งาน 50 V ชนิด C0G ขนาด 0402 สำหรับโมดูล RF