kondensator

ตัวเก็บประจุแบบชิป GRM32EC72A106KE05L ขนาด 1210 ความจุ 10 ไมโครฟารัด ความคลาดเคลื่อน ±10% แรงดันใช้งานสูงสุด 100 โวลต์ ไดอิเล็กทริกชนิด X7S ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ที่เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS แบบไม่มีขา

ตัวเก็บประจุแบบชิป GRM32EC72A106KE05L ขนาด 1210 ความจุ 10 ไมโครฟารัด ความคลาดเคลื่อน ±10% แรงดันใช้งานสูงสุด 100 โวลต์ ไดอิเล็กทริกชนิด X7S ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ที่เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS แบบไม่มีขา

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิปดั้งเดิมรุ่น GRM1555C1H130JA01D ขนาด 0402 ชนิด COG ความจุ 13 พิโคฟารัด ความคลาดเคลื่อน ±5% แรงดันใช้งานสูงสุด 50 โวลต์ บรรจุในเทปและรีล (TR) มีสินค้าพร้อมจำหน่าย

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิปดั้งเดิมรุ่น GRM1555C1H130JA01D ขนาด 0402 ชนิด COG ความจุ 13 พิโคฟารัด ความคลาดเคลื่อน ±5% แรงดันใช้งานสูงสุด 50 โวลต์ บรรจุในเทปและรีล (TR) มีสินค้าพร้อมจำหน่าย

ตัวเก็บประจุแบบแยกสัญญาณ/เบี่ยงเบนสัญญาณเกรดอุตสาหกรรมยานยนต์ GRT188R60J226ME13D ขนาด 0603 ค่าความจุ 226M แรงดัน 6.3V ชนิด X5R ความแม่นยำ ±20% ความจุ 22 ไมโครฟารัด ความเสถียรสูง บรรจุ 4,000 ชิ้นต่อม้วน

ตัวเก็บประจุแบบแยกสัญญาณ/เบี่ยงเบนสัญญาณเกรดอุตสาหกรรมยานยนต์ GRT188R60J226ME13D ขนาด 0603 ค่าความจุ 226M แรงดัน 6.3V ชนิด X5R ความแม่นยำ ±20% ความจุ 22 ไมโครฟารัด ความเสถียรสูง บรรจุ 4,000 ชิ้นต่อม้วน

ตัวเก็บประจุระดับอุตสาหกรรมต้นฉบับรุ่น GRM033R61A224KE90D ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป ขั้วต่อ และวงจรรวม

ตัวเก็บประจุระดับอุตสาหกรรมต้นฉบับรุ่น GRM033R61A224KE90D ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป ขั้วต่อ และวงจรรวม

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM21BZ70J226ME44L ขนาด 0805 ความจุ 226M (22 µF) แรงดันใช้งาน 6.3 V ชนิด X7R ความคลาดเคลื่อน ±20% ความเสถียรสูง สำหรับการแยกสัญญาณ/เบี่ยงเบนสัญญาณ

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM21BZ70J226ME44L ขนาด 0805 ความจุ 226M (22 µF) แรงดันใช้งาน 6.3 V ชนิด X7R ความคลาดเคลื่อน ±20% ความเสถียรสูง สำหรับการแยกสัญญาณ/เบี่ยงเบนสัญญาณ

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM0335C1H200JA01D ขนาด 0201 ความจุ 20 pF แรงดันใช้งาน 50 V ชนิด C0G บรรจุในม้วนต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM0335C1H200JA01D ขนาด 0201 ความจุ 20 pF แรงดันใช้งาน 50 V ชนิด C0G บรรจุในม้วนต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM0335C1H200JA01D ขนาด 0201 ความจุ 20 pF แรงดันใช้งาน 50 V ชนิด C0G บรรจุในม้วนต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM0335C1H200JA01D ขนาด 0201 ความจุ 20 pF แรงดันใช้งาน 50 V ชนิด C0G บรรจุในม้วนต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกเกรดอุตสาหกรรมยานยนต์ GCM188R71C105KA64D ขนาด 0603 ค่าความจุ 105K (1 µF) แรงดัน 16 V ชนิด X7R ความคลาดเคลื่อน ±10% สำหรับการแยกสัญญาณ (Decoupling) และการเบี่ยงเบนสัญญาณ (Bypass)

ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกเกรดอุตสาหกรรมยานยนต์ GCM188R71C105KA64D ขนาด 0603 ค่าความจุ 105K (1 µF) แรงดัน 16 V ชนิด X7R ความคลาดเคลื่อน ±10% สำหรับการแยกสัญญาณ (Decoupling) และการเบี่ยงเบนสัญญาณ (Bypass)

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD แบบความเสถียรสูง GRM155R61C475ME15D ขนาด 0402 ค่าความจุ 475M (4.7 µF) แรงดัน 16 V ชนิด X5R ความคลาดเคลื่อน ±20% สำหรับการแยกสัญญาณ (Decoupling) และการเบี่ยงเบนสัญญาณ (Bypass)

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD แบบความเสถียรสูง GRM155R61C475ME15D ขนาด 0402 ค่าความจุ 475M (4.7 µF) แรงดัน 16 V ชนิด X5R ความคลาดเคลื่อน ±20% สำหรับการแยกสัญญาณ (Decoupling) และการเบี่ยงเบนสัญญาณ (Bypass)

ตัวเก็บประจุเซรามิกชิป GRM155R61H474KE11D ขนาด 0402 ค่าความจุ 470 nF ชนิด X5R แรงดัน 50 V ความคลาดเคลื่อน ±10% ใช้ทั่วไปกับอุปกรณ์ใช้ทั่วไป

ตัวเก็บประจุเซรามิกชิป GRM155R61H474KE11D ขนาด 0402 ค่าความจุ 470 nF ชนิด X5R แรงดัน 50 V ความคลาดเคลื่อน ±10% ใช้ทั่วไปกับอุปกรณ์ใช้ทั่วไป

สำหรับตัวเก็บประจุชิปเซรามิกรุ่น GRM219R61C226ME15L ขนาด 0805 ความจุ 22 ไมโครฟารัด ชนิด X5R แรงดัน 16 โวลต์ ความคลาดเคลื่อน ±20% ใช้ได้ทั่วไปกับอุปกรณ์ใช้ทั่วไป

สำหรับตัวเก็บประจุชิปเซรามิกรุ่น GRM219R61C226ME15L ขนาด 0805 ความจุ 22 ไมโครฟารัด ชนิด X5R แรงดัน 16 โวลต์ ความคลาดเคลื่อน ±20% ใช้ได้ทั่วไปกับอุปกรณ์ใช้ทั่วไป

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM155R60J106ME47D ความจุ 10 ไมโครฟารัด แรงดัน 6.3 โวลต์ ชนิด X5R ขนาด 0402 บรรจุในม้วนต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM155R60J106ME47D ความจุ 10 ไมโครฟารัด แรงดัน 6.3 โวลต์ ชนิด X5R ขนาด 0402 บรรจุในม้วนต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM219R71E105KA88D ความจุ 1 ไมโครฟารัด แรงดัน 25 โวลต์ วัสดุไดอิเล็กทริก X7R ขนาดแพ็คเกจ 0805 ในม้วนต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM219R71E105KA88D ความจุ 1 ไมโครฟารัด แรงดัน 25 โวลต์ วัสดุไดอิเล็กทริก X7R ขนาดแพ็คเกจ 0805 ในม้วนต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุเกรดอุตสาหกรรมสำหรับยานยนต์ รุ่น GCM155R71H102JA37D ความจุ 1 นาโนฟารัด แรงดัน 50 โวลต์ วัสดุไดอิเล็กทริก X7R ขนาดแพ็คเกจ 0402 ในม้วน

ตัวเก็บประจุเกรดอุตสาหกรรมสำหรับยานยนต์ รุ่น GCM155R71H102JA37D ความจุ 1 นาโนฟารัด แรงดัน 50 โวลต์ วัสดุไดอิเล็กทริก X7R ขนาดแพ็คเกจ 0402 ในม้วน

สำหรับตัวเก็บประจุชิปเซรามิก ZRB15XR60J106ME12D ขนาด 0402 ความจุ 10 ไมโครฟารัด ชนิด X5R แรงดันใช้งาน 6.3 โวลต์ ความคลาดเคลื่อน ±20% แบบทั่วไป

สำหรับตัวเก็บประจุชิปเซรามิก ZRB15XR60J106ME12D ขนาด 0402 ความจุ 10 ไมโครฟารัด ชนิด X5R แรงดันใช้งาน 6.3 โวลต์ ความคลาดเคลื่อน ±20% แบบทั่วไป

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดผิวหน้า GRM033R61E474ME15D ขนาด 0201

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดผิวหน้า GRM033R61E474ME15D ขนาด 0201

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ MLCC GRM033R60J223KE01D ความจุ 0.022 µF แรงดันใช้งาน 6.3 V ขนาด 0603 (หน่วยวัดตามมาตรฐานเมตริก) สำหรับอุปกรณ์มือถือ

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ MLCC GRM033R60J223KE01D ความจุ 0.022 µF แรงดันใช้งาน 6.3 V ขนาด 0603 (หน่วยวัดตามมาตรฐานเมตริก) สำหรับอุปกรณ์มือถือ

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD GRM1555C1H100RA01D ความจุ 10 pF แรงดันใช้งาน 50 V ชนิด C0G ขนาด 0402 สำหรับวงจรความถี่สูง

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD GRM1555C1H100RA01D ความจุ 10 pF แรงดันใช้งาน 50 V ชนิด C0G ขนาด 0402 สำหรับวงจรความถี่สูง