ส่วนประกอบแบบพาสซีฟ

ขดลวดเหนี่ยวนำแบบชิป LQP03TN3N0B02D ความเหนี่ยวนำ 3 นาโนเฮนรี กระแสสูงสุด 450 มิลลิแอมแปร์ ติดตั้งบนพื้นผิว (Surface Mount) แพ็กเกจขนาด 0201 ความแม่นยำ ±0.1 นาโนเฮนรี วัสดุเกรด 3C สำหรับอุปกรณ์ดิจิทัล

ขดลวดเหนี่ยวนำแบบชิป LQP03TN3N0B02D ความเหนี่ยวนำ 3 นาโนเฮนรี กระแสสูงสุด 450 มิลลิแอมแปร์ ติดตั้งบนพื้นผิว (Surface Mount) แพ็กเกจขนาด 0201 ความแม่นยำ ±0.1 นาโนเฮนรี วัสดุเกรด 3C สำหรับอุปกรณ์ดิจิทัล

ตัวเก็บประจุแบบชิป GRM32EC72A106KE05L ขนาด 1210 ความจุ 10 ไมโครฟารัด ความคลาดเคลื่อน ±10% แรงดันใช้งานสูงสุด 100 โวลต์ ไดอิเล็กทริกชนิด X7S ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ที่เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS แบบไม่มีขา

ตัวเก็บประจุแบบชิป GRM32EC72A106KE05L ขนาด 1210 ความจุ 10 ไมโครฟารัด ความคลาดเคลื่อน ±10% แรงดันใช้งานสูงสุด 100 โวลต์ ไดอิเล็กทริกชนิด X7S ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ที่เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS แบบไม่มีขา

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิปดั้งเดิมรุ่น GRM1555C1H130JA01D ขนาด 0402 ชนิด COG ความจุ 13 พิโคฟารัด ความคลาดเคลื่อน ±5% แรงดันใช้งานสูงสุด 50 โวลต์ บรรจุในเทปและรีล (TR) มีสินค้าพร้อมจำหน่าย

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิปดั้งเดิมรุ่น GRM1555C1H130JA01D ขนาด 0402 ชนิด COG ความจุ 13 พิโคฟารัด ความคลาดเคลื่อน ±5% แรงดันใช้งานสูงสุด 50 โวลต์ บรรจุในเทปและรีล (TR) มีสินค้าพร้อมจำหน่าย

ตัวเก็บประจุแบบแยกสัญญาณ/เบี่ยงเบนสัญญาณเกรดอุตสาหกรรมยานยนต์ GRT188R60J226ME13D ขนาด 0603 ค่าความจุ 226M แรงดัน 6.3V ชนิด X5R ความแม่นยำ ±20% ความจุ 22 ไมโครฟารัด ความเสถียรสูง บรรจุ 4,000 ชิ้นต่อม้วน

ตัวเก็บประจุแบบแยกสัญญาณ/เบี่ยงเบนสัญญาณเกรดอุตสาหกรรมยานยนต์ GRT188R60J226ME13D ขนาด 0603 ค่าความจุ 226M แรงดัน 6.3V ชนิด X5R ความแม่นยำ ±20% ความจุ 22 ไมโครฟารัด ความเสถียรสูง บรรจุ 4,000 ชิ้นต่อม้วน

ตัวเก็บประจุระดับอุตสาหกรรมต้นฉบับรุ่น GRM033R61A224KE90D ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป ขั้วต่อ และวงจรรวม

ตัวเก็บประจุระดับอุตสาหกรรมต้นฉบับรุ่น GRM033R61A224KE90D ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป ขั้วต่อ และวงจรรวม

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM21BZ70J226ME44L ขนาด 0805 ความจุ 226M (22 µF) แรงดันใช้งาน 6.3 V ชนิด X7R ความคลาดเคลื่อน ±20% ความเสถียรสูง สำหรับการแยกสัญญาณ/เบี่ยงเบนสัญญาณ

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM21BZ70J226ME44L ขนาด 0805 ความจุ 226M (22 µF) แรงดันใช้งาน 6.3 V ชนิด X7R ความคลาดเคลื่อน ±20% ความเสถียรสูง สำหรับการแยกสัญญาณ/เบี่ยงเบนสัญญาณ

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM0335C1H200JA01D ขนาด 0201 ความจุ 20 pF แรงดันใช้งาน 50 V ชนิด C0G บรรจุในม้วนต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM0335C1H200JA01D ขนาด 0201 ความจุ 20 pF แรงดันใช้งาน 50 V ชนิด C0G บรรจุในม้วนต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM0335C1H200JA01D ขนาด 0201 ความจุ 20 pF แรงดันใช้งาน 50 V ชนิด C0G บรรจุในม้วนต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM0335C1H200JA01D ขนาด 0201 ความจุ 20 pF แรงดันใช้งาน 50 V ชนิด C0G บรรจุในม้วนต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกเกรดอุตสาหกรรมยานยนต์ GCM188R71C105KA64D ขนาด 0603 ค่าความจุ 105K (1 µF) แรงดัน 16 V ชนิด X7R ความคลาดเคลื่อน ±10% สำหรับการแยกสัญญาณ (Decoupling) และการเบี่ยงเบนสัญญาณ (Bypass)

ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกเกรดอุตสาหกรรมยานยนต์ GCM188R71C105KA64D ขนาด 0603 ค่าความจุ 105K (1 µF) แรงดัน 16 V ชนิด X7R ความคลาดเคลื่อน ±10% สำหรับการแยกสัญญาณ (Decoupling) และการเบี่ยงเบนสัญญาณ (Bypass)

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD แบบความเสถียรสูง GRM155R61C475ME15D ขนาด 0402 ค่าความจุ 475M (4.7 µF) แรงดัน 16 V ชนิด X5R ความคลาดเคลื่อน ±20% สำหรับการแยกสัญญาณ (Decoupling) และการเบี่ยงเบนสัญญาณ (Bypass)

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD แบบความเสถียรสูง GRM155R61C475ME15D ขนาด 0402 ค่าความจุ 475M (4.7 µF) แรงดัน 16 V ชนิด X5R ความคลาดเคลื่อน ±20% สำหรับการแยกสัญญาณ (Decoupling) และการเบี่ยงเบนสัญญาณ (Bypass)

คอยล์เหนี่ยวนำกำลังไฟฟ้า ขนาด 1210 รุ่น LQW32FT470M0HL ความเหนี่ยวนำ 47 ไมโครเฮนรี กระแสสูงสุด 300 มิลลิแอมแปร์ ความแม่นยำ ±20% แบบติดตั้งบนพื้นผิว (SMD) ใช้งานกับอุปกรณ์ดิจิทัลรุ่น 3C

คอยล์เหนี่ยวนำกำลังไฟฟ้า ขนาด 1210 รุ่น LQW32FT470M0HL ความเหนี่ยวนำ 47 ไมโครเฮนรี กระแสสูงสุด 300 มิลลิแอมแปร์ ความแม่นยำ ±20% แบบติดตั้งบนพื้นผิว (SMD) ใช้งานกับอุปกรณ์ดิจิทัลรุ่น 3C

ตัวเก็บประจุเซรามิกชิป GRM155R61H474KE11D ขนาด 0402 ค่าความจุ 470 nF ชนิด X5R แรงดัน 50 V ความคลาดเคลื่อน ±10% ใช้ทั่วไปกับอุปกรณ์ใช้ทั่วไป

ตัวเก็บประจุเซรามิกชิป GRM155R61H474KE11D ขนาด 0402 ค่าความจุ 470 nF ชนิด X5R แรงดัน 50 V ความคลาดเคลื่อน ±10% ใช้ทั่วไปกับอุปกรณ์ใช้ทั่วไป

สำหรับตัวเก็บประจุชิปเซรามิกรุ่น GRM219R61C226ME15L ขนาด 0805 ความจุ 22 ไมโครฟารัด ชนิด X5R แรงดัน 16 โวลต์ ความคลาดเคลื่อน ±20% ใช้ได้ทั่วไปกับอุปกรณ์ใช้ทั่วไป

สำหรับตัวเก็บประจุชิปเซรามิกรุ่น GRM219R61C226ME15L ขนาด 0805 ความจุ 22 ไมโครฟารัด ชนิด X5R แรงดัน 16 โวลต์ ความคลาดเคลื่อน ±20% ใช้ได้ทั่วไปกับอุปกรณ์ใช้ทั่วไป

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM155R60J106ME47D ความจุ 10 ไมโครฟารัด แรงดัน 6.3 โวลต์ ชนิด X5R ขนาด 0402 บรรจุในม้วนต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM155R60J106ME47D ความจุ 10 ไมโครฟารัด แรงดัน 6.3 โวลต์ ชนิด X5R ขนาด 0402 บรรจุในม้วนต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM219R71E105KA88D ความจุ 1 ไมโครฟารัด แรงดัน 25 โวลต์ วัสดุไดอิเล็กทริก X7R ขนาดแพ็คเกจ 0805 ในม้วนต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD รุ่น GRM219R71E105KA88D ความจุ 1 ไมโครฟารัด แรงดัน 25 โวลต์ วัสดุไดอิเล็กทริก X7R ขนาดแพ็คเกจ 0805 ในม้วนต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุเกรดอุตสาหกรรมสำหรับยานยนต์ รุ่น GCM155R71H102JA37D ความจุ 1 นาโนฟารัด แรงดัน 50 โวลต์ วัสดุไดอิเล็กทริก X7R ขนาดแพ็คเกจ 0402 ในม้วน

ตัวเก็บประจุเกรดอุตสาหกรรมสำหรับยานยนต์ รุ่น GCM155R71H102JA37D ความจุ 1 นาโนฟารัด แรงดัน 50 โวลต์ วัสดุไดอิเล็กทริก X7R ขนาดแพ็คเกจ 0402 ในม้วน

คอยล์เหนี่ยวนำกำลังรุ่น MDH12577680MA=P3 ค่าเหนี่ยวนำ 68 ไมโครเฮนรี แบบป้องกันสนามแม่เหล็ก (Shielded) SMD สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์

คอยล์เหนี่ยวนำกำลังรุ่น MDH12577680MA=P3 ค่าเหนี่ยวนำ 68 ไมโครเฮนรี แบบป้องกันสนามแม่เหล็ก (Shielded) SMD สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์

สำหรับตัวเก็บประจุชิปเซรามิก ZRB15XR60J106ME12D ขนาด 0402 ความจุ 10 ไมโครฟารัด ชนิด X5R แรงดันใช้งาน 6.3 โวลต์ ความคลาดเคลื่อน ±20% แบบทั่วไป

สำหรับตัวเก็บประจุชิปเซรามิก ZRB15XR60J106ME12D ขนาด 0402 ความจุ 10 ไมโครฟารัด ชนิด X5R แรงดันใช้งาน 6.3 โวลต์ ความคลาดเคลื่อน ±20% แบบทั่วไป