ส่วนประกอบแบบพาสซีฟ

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดผิวหน้า GRM033R61E474ME15D ขนาด 0201

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดผิวหน้า GRM033R61E474ME15D ขนาด 0201

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ MLCC GRM033R60J223KE01D ความจุ 0.022 µF แรงดันใช้งาน 6.3 V ขนาด 0603 (หน่วยวัดตามมาตรฐานเมตริก) สำหรับอุปกรณ์มือถือ

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ MLCC GRM033R60J223KE01D ความจุ 0.022 µF แรงดันใช้งาน 6.3 V ขนาด 0603 (หน่วยวัดตามมาตรฐานเมตริก) สำหรับอุปกรณ์มือถือ

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD GRM1555C1H100RA01D ความจุ 10 pF แรงดันใช้งาน 50 V ชนิด C0G ขนาด 0402 สำหรับวงจรความถี่สูง

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD GRM1555C1H100RA01D ความจุ 10 pF แรงดันใช้งาน 50 V ชนิด C0G ขนาด 0402 สำหรับวงจรความถี่สูง

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD GRT188C81E225KE13D ความจุ 2.2 µF แรงดันใช้งาน 25 V ชนิด X6S ขนาด 0603 สำหรับระบบสารสนเทศและความบันเทิงในรถยนต์ (Infotainment)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD GRT188C81E225KE13D ความจุ 2.2 µF แรงดันใช้งาน 25 V ชนิด X6S ขนาด 0603 สำหรับระบบสารสนเทศและความบันเทิงในรถยนต์ (Infotainment)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ MLCC คุณภาพสูง GJM1555C1H2R0WB01D ความจุ 2 pF แรงดันใช้งาน 50 V ชนิด C0G ขนาด 0402 สำหรับโมดูล RF

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ MLCC คุณภาพสูง GJM1555C1H2R0WB01D ความจุ 2 pF แรงดันใช้งาน 50 V ชนิด C0G ขนาด 0402 สำหรับโมดูล RF

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD GRT155R61C105KE01D ความจุ 1 µF แรงดันใช้งาน 16 V ชนิด X5R ขนาด 0402 สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ในรถยนต์

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD GRT155R61C105KE01D ความจุ 1 µF แรงดันใช้งาน 16 V ชนิด X5R ขนาด 0402 สำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ในรถยนต์

ตัวกรองสัญญาณรบกวนแบบคอมมอนโมด์รุ่น EXCX4CH350X ค่าความต้านทาน 35 โอห์ม ขนาด 0202 SMD สำหรับสายสัญญาณ บรรจุในรีลต้นฉบับ

ตัวกรองสัญญาณรบกวนแบบคอมมอนโมด์รุ่น EXCX4CH350X ค่าความต้านทาน 35 โอห์ม ขนาด 0202 SMD สำหรับสายสัญญาณ บรรจุในรีลต้นฉบับ

ตัวเก็บประจุเซรามิก ZRB15XR60J106ME12D ขนาด 0402 ความจุ 10 µF ความคลาดเคลื่อน ±20% แรงดันใช้งาน 6.3 V ชนิด X5R สำหรับเครื่องใช้ไฟฟ้าขนาดเล็ก

ตัวเก็บประจุเซรามิก ZRB15XR60J106ME12D ขนาด 0402 ความจุ 10 µF ความคลาดเคลื่อน ±20% แรงดันใช้งาน 6.3 V ชนิด X5R สำหรับเครื่องใช้ไฟฟ้าขนาดเล็ก