Diskrete Halbleiter

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Original-IPG20N10S4L-35A Dual-N-Kanal-MOSFET mit Kennzeichnung 4N10L35, 100 V, 20 A, SMD-Bauform, Leistungsverstärker

BAV23CLT1G Dual-Hochspannungs-Schalt-Diode mit gemeinsamer Kathode, Gehäuse SOT-23, auf Band und Rolle

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