Дискретни полупроводникови елементи

Имейл

WhatsAPP / Мобилен телефон

Име на компанията

Номер на част

Съобщение

0/1000

Приложение

Моля, прикачете поне един файл (по избор)

Upload up to 5 files (maximum 30 MB). Supported formats: JPG, JPEG, PNG, PDF, DOC, DOCX, XLS, XLSX, CSV, TXT, STP, STEP, IGS, X_T, DXF, PRT, SLDPRT, SAT, RAR, ZIP.

Дискретни полупроводникови елементи

Sort by

Сензор За Притиск

Датчици за Температура

Масиви, Ръбови Типове, Мезанин (Плата към Плата)

Правоъгълни Конектори

Глави, Мъжки Пинове

Инвертори И Преобразуватели

Нисконапрежени продукти

Въздушни прекъсвачи

Контактори

Предпазители

Високоволтов Контактор за Постоянен Ток

Високоволтови реле

Линейни (Усилватели И Компаратори)

Обработка на Видео

Прецизни Усилватели

Памет

Микроконтролери И Процесори, FPGA

Мрежи и Интерфейси

Управление на Енергията (PMIC)

Специализирани ИС

Диоди

Диодни Масиви

Транзистори

mOSFET

Въздушни Качества

Конденсатори

Керамични Кондензатори

Индуктори

енергийни Индуктори

Филтри за Обща Модулация

SMD Индуктори

Оригинален двойен MOSFET с N-канал IPG20N10S4L-35A с маркировка 4N10L35, 100 V, 20 A, за повърхностно монтиране (SMD), мощен усилвател

BAV23CLT1G Двойна високоволтова превключваща диода с обща катода в корпус SOT-23, в лента и ролка

Получете безплатна оферта

Получете безплатна оферта

Дискретни полупроводникови елементи

Filter

Sort by

Оригинален двойен MOSFET с N-канал IPG20N10S4L-35A с маркировка 4N10L35, 100 V, 20 A, за повърхностно монтиране (SMD), мощен усилвател

BAV23CLT1G Двойна високоволтова превключваща диода с обща катода в корпус SOT-23, в лента и ролка

Получете безплатна оферта